Anaïs Dréau - Technologies quantiques à base de défauts fluorescents individuels dans les semiconducteurs

Dates
22/02/2023
Anaïs Dréau (Université de Montpellier), Médaille de bronze 2022 du CNRS, lauréate de l’ERC Starting Grant SILEQS en 2022, directrice du Groupement de recherche Ingénierie quantique, des aspects fondamentaux aux applications.
Horaires
15h45-17h45
Lieu
amphi Physique-Chimie
Les matériaux semiconducteurs sont au cœur du développement de la microélectronique, qui constitue l’une des révolutions technologiques majeures du XXème siècle. Ils pourraient également jouer un rôle important dans le développement d’une nouvelle génération de technologies, qui s’appuient non pas sur des propriétés de la physique classique que nous rencontrons à notre échelle, mais sur des lois quantiques qui régissent le monde des atomes et des petites échelles. Ces cristaux semiconducteurs abritent un grand nombre de systèmes quantiques prometteurs, et notamment des défauts ponctuels fluorescents. Ces systèmes, constitués d’une impureté, d’un atome manquant ou d’un complexe de quelques atomes, se comportent comme des atomes artificiels piégés dans la maille cristalline. Ils peuvent notamment être isolés à l'échelle individuelle par des techniques avancées de microscopie de fluorescence. Dans ce séminaire, nous passerons en revue les différentes ressources quantiques apportées par les défauts fluorescents des semiconducteurs, comme l'émission de photons uniques et le contrôle des états de spin. Nous discuterons en particulier du développement de capteurs quantiques nanométriques ultra-sensibles, de l'utilisation de registres quantiques de spin pour le traitement de l'information quantique ainsi que de la création de réseaux de communication quantique. Les défis actuels à relever pour la mise en œuvre de technologies quantiques à grande échelle ainsi que l'exploration de nouvelles plateformes pour isoler des défauts fluorescents individuels seront également abordés.